FDMA6676PZ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PQFN-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

11 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

11 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.6 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Qg - Carica cancello:

33 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.4 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

PowerTrench

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.8 mm

Lunghezza:

2.05 mm

Serie:

FDMA6676PZ

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

2.05 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

38 S

Tempo di caduta:

72 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

19 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

87 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8.8 ns

Unità di peso:

0.000745 oz

Tags

FDMA, FDM