BFN26E6327HTSA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

300 V

Collettore-tensione di base VCBO:

300 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.5 V

Corrente massima del collettore CC:

500 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

70 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

BFN26

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Corrente continua del collettore:

200 mA

Pd - Dissipazione di potenza:

360 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

26 BFN BFN26E6327XT E6327 SP000014785

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

BFN26E63, BFN26E6, BFN26E, BFN26, BFN2, BFN