IXFG55N50

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-264-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Id - Corrente di scarico continua:

48 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

90 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

400 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

HyperFET

Confezione:

Tubo

Altezza:

26.42 mm

Lunghezza:

20.29 mm

Serie:

IXFG55N50

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

5.21 mm

Marca:

IXYS

Tempo di caduta:

45 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

60 ns

Quantità confezione di fabbrica:

25

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

120 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

45 ns

Unità di peso:

0.264555 oz

Tags

IXF