2N3055H

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-204-2

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

60 V

Collettore-tensione di base VCBO:

100 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.1 V

Corrente massima del collettore CC:

15 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

2.5 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Altezza:

8.51 mm (Max)

Lunghezza:

39.37 mm

Confezione:

Vassoio

Larghezza:

26.67 mm (Max)

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

15 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

20

Pd - Dissipazione di potenza:

115 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

100

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.056438 oz

Tags

2N3055, 2N305, 2N30, 2N3