RN2306,LF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - Pre-polarizzati

RoHS:

Y

Configurazione:

Separare

Polarità del transistor:

PNP

Resistenza di ingresso tipica:

4.7 kOhms

Rapporto resistore tipico:

0.1

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SC-70

Guadagno base/collettore DC hfe min:

80

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 50 V

Corrente continua del collettore:

- 100 mA

Pd - Dissipazione di potenza:

100 mW

Serie:

RN2306

Confezione:

Bobina

Collettore-tensione di base VCBO:

- 50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Tipo:

Transistor al silicio epitassiale PNP

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

Toshiba

Corrente massima del collettore CC:

- 100 mA

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari - Prepolarizzati

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000988 oz

Tags

RN2306, RN230, RN23, RN2