DMN13M9UCA6-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, NPN

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

12 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

500 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

56.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.67 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

6208 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

1694 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

4749 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

603 ns

Tags

DMN13, DMN1, DMN