DXT13003DK-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

450 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

9 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.4 V

Corrente massima del collettore CC:

1.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

4 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

DXT13003

Guadagno di corrente CC hFE Max:

25 at 1 A, 2 V

Confezione:

Bobina

Marca:

Diodi incorporati

Guadagno base/collettore DC hfe min:

5 at 1 A, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

3.9 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Tags

DXT13003D, DXT13, DXT1, DXT