FDME410NZT

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

UMLP-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

19 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

700 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

9.2 nC

Pd - Dissipazione di potenza:

1.4 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

PowerTrench

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.55 mm

Lunghezza:

1.6 mm

Serie:

FDME410NZT

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

1.6 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

35 S

Tempo di caduta:

3.2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3.4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

27 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.3 ns

Unità di peso:

0.001058 oz

Tags

FDME, FDM