Jan2N3501/TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-39-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

150 V

Collettore-tensione di base VCBO:

150 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.4 V

Corrente massima del collettore CC:

300 mA

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

300 at 150 mA, 10 V

Marca:

Microchip / Microsemi

Guadagno base/collettore DC hfe min:

20 at 300 mA, 10 V

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

transistor

Tags

Jan2N3501, Jan2N350, Jan2N35, Jan2N3, Jan2N, Jan2, JAN