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SI4563DY-T1-GE3

SI4563DY-T1-GE3
Mfr. #:
SI4563DY-T1-GE3
Produttore:
Vishay
Descrizione:
RF Bipolar Transistors MOSFET 40V 8.0A 3.25W 16/25mohm @ 10V
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
SI4563DY-T1-GE3 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
Vishay Siliconix
categoria di prodotto
FET - Array
Serie
TrinceaFETR
Confezione
Nastro e bobina (TR)
Pacchetto-Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale
Pacchetto-dispositivo-fornitore
8-SO
Tipo FET
Canale N e P
Potenza-Max
3.25W
Drain-to-Source-Voltage-Vdss
40V
Ingresso-Capacità-Ciss-Vds
2390pF @ 20V
Funzione FET
Standard
Corrente-Continuo-Scarico-Id-25°C
8A
Rds-On-Max-Id-Vgs
16 mOhm @ 5A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2V @ 250μA
Gate-Carica-Qg-Vgs
85nC @ 10V
Tags
SI456, SI45, SI4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET N/P-CH 40V 8A/6.6A 8-Pin SOIC N T/R
***ark
Transistor; Transistor Polarity:NPN & PNP; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Package/Case:8-SOIC; Termination Type:SMD; Transistor Type:MOSFET ;RoHS Compliant: Yes
***ment14 APAC
NPN & PNP MOSFET, SOIC; Transistor Polar; NPN & PNP MOSFET, SOIC; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id, N Channel:8A; Continuous Drain Current Id, P Channel:-6.6A; Drain Source Voltage Vds, N Channel:40V; Drain Source Voltage Vds, P Channel:-40V
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
SI4563DY-T1-GE3
DISTI # SI4563DY-T1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SI4563DY-T1-GE3
    DISTI # 781-SI4563DY-GE3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET 40V 8.0A 3.25W 16/25mohm @ 10V
    RoHS: Compliant    		0
      Immagine Parte # Descrizione
      SI4563DY-T1-GE3

      Mfr.#: SI4563DY-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI4563DY-T1-GE3

      		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4564DY-T1-GE3
      SI4563DY-T1-GE3

      Mfr.#: SI4563DY-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI4563DY-T1-GE3-VISHAY

      		 RF Bipolar Transistors MOSFET 40V 8.0A 3.25W 16/25mohm @ 10V
      SI4563DY-T1-E3

      Mfr.#: SI4563DY-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI4563DY-T1-E3-VISHAY

      		 MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC
      Disponibilità
      Azione:
      Available
      Su ordine:
      2000
      Inserisci la quantità:
      Il prezzo attuale di SI4563DY-T1-GE3 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
      Prezzo di riferimento (USD)
      Quantità
      Prezzo unitario
      est. Prezzo
      1
      0,00 USD
      0,00 USD
      10
      0,00 USD
      0,00 USD
      100
      0,00 USD
      0,00 USD
      500
      0,00 USD
      0,00 USD
      1000
      0,00 USD
      0,00 USD
      A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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