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NDD02N60Z-1G

NDD02N60Z-1G
Mfr. #:
NDD02N60Z-1G
Produttore:
ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V IPAK
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
NDD02N60Z-1G Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
NDD02N60Z-1G DatasheetNDD02N60Z-1G Datasheet (P4-P6)NDD02N60Z-1G Datasheet (P7-P9)NDD02N60Z-1G Datasheet (P10)
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
IN POI
categoria di prodotto
FET - Single
Confezione
Tubo
Unità di peso
0.139332 oz
Stile di montaggio
Foro passante
Pacchetto-Custodia
IPAK-3
Tecnologia
si
Numero di canali
1 Channel
Configurazione
Separare
Tipo a transistor
1 N-Channel
Pd-Power-Dissipazione
57 W
Massima temperatura di esercizio
+ 125 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Vgs-Gate-Source-Voltage
30 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
1.4 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
600 V
Vgs-th-Gate-Sorgente-Soglia-Tensione
4.5 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
4 Ohms
Polarità del transistor
Canale N
Qg-Gate-Carica
10.1 nC
Transconduttanza diretta-Min
1.7 S
Tags
NDD02N60Z, NDD02N6, NDD02, NDD0, NDD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***Components
In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 2.4 A, 600 V, 3-Pin IPAK ON Semiconductor NDD02N60Z-1G
***ied Electronics & Automation
NDD02N60Z-1G N-channel MOSFET Transistor; 2.4 A; 600 V; 3-Pin IPAK
***Semiconductor
Power MOSFET 600V 2.2A 4.8 Ohm Single N-Channel DPAK
***ure Electronics
N-Channel 600 V 4.8 Ohm 57 W Through Hole Power MOSFET - IPAK-3
***ical
Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
***th Star Micro
Power MOSFET 600V 4.8 Ohm Single N-Channel
***an P&S
N-Channel Power MOSFET 600 V,4.0 Ω
***ark
Mosfet, N-Ch, 600V, 2.2A, To-251
*** Source Electronics
MOSFET N-CH 600V IPAK
***ment14 APAC
Prices include import duty and tax. MOSFET, N-CH, 600V, 2.2A, TO-251; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.2A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:57W; Transistor Case Style:TO-251; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
***nell
MOSFET, CA-N, 600V, 2,2A, TO-251; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:2.2A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza di Attivazione Rds(on):4ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V; Tensione di Soglia Vgs:4V; Dissipazione di Potenza Pd:57W; Modello Case Transistor:TO-251; No. di Pin:3Pin; Temperatura di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard di Qualifica Automotive:-; Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):MSL 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):No SVHC (15-Jan-2018)
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
NDD02N60Z-1G
DISTI # NDD02N60Z-1GOS-ND		ON SemiconductorMOSFET N-CH 600V IPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 900
Container: Tube		Limited Supply - Call
    NDD02N60Z-1G
    DISTI # 70341172    		ON SemiconductorNDD02N60Z-1G N-channel MOSFET Transistor,2.4 A,600 V,3-Pin IPAK
    RoHS: Compliant    		0
    • 50:$0.7100
    • 125:$0.6700
    • 250:$0.6400
    • 500:$0.6100
    NDD02N60Z-1G
    DISTI # 863-NDD02N60Z-1G    		ON SemiconductorMOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R
    RoHS: Compliant    		1305
    • 1:$0.6500
    • 10:$0.5390
    • 100:$0.3480
    • 1000:$0.2790
    • 2500:$0.2350
    • 10000:$0.2260
    • 25000:$0.2180
    NDD02N60Z-1GON Semiconductor 
    RoHS: Not Compliant    		355835
    • 1000:$0.2900
    • 500:$0.3100
    • 100:$0.3200
    • 25:$0.3300
    • 1:$0.3600
    NDD02N60Z-1G
    DISTI # 7192777    		ON SemiconductorMOSFET N-CHANNEL 600V 2.2A IPAK, PK530
    • 5:£0.5220
    • 25:£0.4040
    • 50:£0.3340
    • 250:£0.2600
    • 500:£0.2480
    NDD02N60Z-1G
    DISTI # 2630360    		ON SemiconductorMOSFET, N-CH, 600V, 2.2A, TO-251
    RoHS: Compliant    		212
    • 5:£0.3830
    • 25:£0.3780
    • 100:£0.2570
    • 250:£0.2400
    • 500:£0.2230
    NDD02N60Z-1G
    DISTI # 2630360    		ON SemiconductorMOSFET, N-CH, 600V, 2.2A, TO-251
    RoHS: Compliant    		212
    • 1:$1.0300
    • 10:$0.8530
    • 100:$0.5510
    • 1000:$0.4410
    • 2500:$0.3720
    • 10000:$0.3590
    • 25000:$0.3460
    • 50000:$0.3390
    Immagine Parte # Descrizione
    NDD02N40T4G

    Mfr.#: NDD02N40T4G

    OMO.#: OMO-NDD02N40T4G

    		 MOSFET NFET DPAK 400V 1.7A 5.5OH
    NDD02N40-1G

    Mfr.#: NDD02N40-1G

    OMO.#: OMO-NDD02N40-1G

    		 MOSFET NFET DPAK 400V 1.7A 5.5OH
    NDD02N40

    Mfr.#: NDD02N40

    OMO.#: OMO-NDD02N40-1190

    		 Nuovo e originale
    NDD02N40-1G

    Mfr.#: NDD02N40-1G

    OMO.#: OMO-NDD02N40-1G-ON-SEMICONDUCTOR

    		 MOSFET N-CH 400V 1.7A IPAK
    NDD02N40T4G

    Mfr.#: NDD02N40T4G

    OMO.#: OMO-NDD02N40T4G-ON-SEMICONDUCTOR

    		 MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
    NDD02N60

    Mfr.#: NDD02N60

    OMO.#: OMO-NDD02N60-1190

    		 Nuovo e originale
    NDD02N60Z

    Mfr.#: NDD02N60Z

    OMO.#: OMO-NDD02N60Z-1190

    		 Nuovo e originale
    NDD02N60Z-1G

    Mfr.#: NDD02N60Z-1G

    OMO.#: OMO-NDD02N60Z-1G-ON-SEMICONDUCTOR

    		 MOSFET N-CH 600V IPAK
    NDD02N60ZT4G

    Mfr.#: NDD02N60ZT4G

    OMO.#: OMO-NDD02N60ZT4G-ON-SEMICONDUCTOR

    		 MOSFET N-CH 600V DPAK
    Disponibilità
    Azione:
    Available
    Su ordine:
    3500
    Inserisci la quantità:
    Il prezzo attuale di NDD02N60Z-1G è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
    Prezzo di riferimento (USD)
    Quantità
    Prezzo unitario
    est. Prezzo
    1
    0,33 USD
    0,33 USD
    10
    0,31 USD
    3,11 USD
    100
    0,29 USD
    29,43 USD
    500
    0,28 USD
    139,00 USD
    1000
    0,26 USD
    261,60 USD
    Iniziare con
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