RQ5E035BNTCL

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-346-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

56 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

6 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.95 mm

Lunghezza:

3 mm

Prodotto:

MOSFET

Tipo di transistor:

1 N-channel

Tipo:

MOSFET di potenza

Larghezza:

1.8 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

3.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

10 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.5 ns

Parte # Alias:

RQ5E035BN

Unità di peso:

0.000423 oz

Tags

RQ5E035, RQ5E03, RQ5E0, RQ5E, RQ5