IXBT42N300HV

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-268HV-2

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

3 kV

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.5 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

25 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

104 A

Pd - Dissipazione di potenza:

500 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

104 A

Marca:

IXYS

Corrente di dispersione gate-emettitore:

+/- 200 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

IGBT

Nome depositato:

BIMOSFET

Unità di peso:

0.141096 oz

Tags

IXBT4, IXBT, IXB