2N5551RL1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

160 V

Collettore-tensione di base VCBO:

180 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.25 V

Corrente massima del collettore CC:

0.6 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

300 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2N5551

Altezza:

5.33 mm

Lunghezza:

5.2 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

4.19 mm

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

0.6 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

80

Pd - Dissipazione di potenza:

625 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

transistor

Tags

2N5551R, 2N5551, 2N555, 2N55, 2N5