FDU6N25

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-251-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

250 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.1 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

6 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

50 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Tubo

Altezza:

6.3 mm

Lunghezza:

6.8 mm

Serie:

FDU6N25

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

2.5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

5.5 S

Tempo di caduta:

34 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

60 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5040

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

24 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

30 ns

Unità di peso:

0.019013 oz

Tags

FDU6N, FDU6, FDU