PSMN6R3-120ESQ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-262-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

120 V

Id - Corrente di scarico continua:

70 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

6.7 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

207.1 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

405 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Tubo

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Nexperia

Tempo di caduta:

67.7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

58.2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

142.1 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

42.1 ns

Unità di peso:

0.084199 oz

Tags

PSMN6, PSMN, PSM