A3T21H400W23SR6

A3T21H400W23SR6
Mfr. #:
A3T21H400W23SR6
Produttore:
NXP Semiconductors
Descrizione:
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 71 W Avg., 28 V
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
A3T21H400W23SR6 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
A3T21H400W23SR6 maggiori informazioni A3T21H400W23SR6 Product Details
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
NXP
Categoria di prodotto:
Transistor MOSFET RF
RoHS:
Y
Polarità del transistor:
Doppio canale N
Tecnologia:
si
Id - Corrente di scarico continua:
3.2 A
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
- 500 mV, 65 V
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
ACP-1230S-4
Confezione:
Bobina
Frequenza operativa:
2110 MHz to 2200 MHz
Serie:
A3T21H400W23
Tipo:
MOSFET di potenza RF
Marca:
Semiconduttori NXP
Numero di canali:
2 Channel
Tipologia di prodotto:
Transistor MOSFET RF
Quantità confezione di fabbrica:
150
sottocategoria:
MOSFET
Vgs - Tensione Gate-Source:
- 6 V, 10 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:
0.8 V, 1.4 V
Parte # Alias:
935372908128
Tags
A3T21H4, A3T21, A3T2, A3T
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Airfast® Third-Generation Power Amplifiers
NXP Semiconductors Airfast® Third-Generation Power Amplifiers provide the best in class performance for the critical parameters that include efficiency, gain, RF power, and signal bandwidth. The Airfast third-generation technology reduces the footprint required to deliver specific RF output power. These amplifiers include 28V and 48V LDMOS transistors. The Airfast third-generation amplifiers are designed for the asymmetrical Doherty amplifier architectures. These amplifiers feature high efficiency, reduced solution size, thermal performance, and operate at wideband frequency. The Airfast third-generation amplifiers support all global cellular standards including LTE and NR for 5G. These amplifiers reduce both the size of cellular base stations and the installation costs.
Immagine Parte # Descrizione
A3T21H450W23SR6

Mfr.#: A3T21H450W23SR6

OMO.#: OMO-A3T21H450W23SR6

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 87 W Avg., 30 V
A3T21H456W23SR6

Mfr.#: A3T21H456W23SR6

OMO.#: OMO-A3T21H456W23SR6

RF MOSFET Transistors RF PWR LDMOS TRNSTR 2110-2200 MHz 87W30V
A3T21H400W23SR6

Mfr.#: A3T21H400W23SR6

OMO.#: OMO-A3T21H400W23SR6

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 71 W Avg., 28 V
A3T21H455W23SR6

Mfr.#: A3T21H455W23SR6

OMO.#: OMO-A3T21H455W23SR6

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 87 W Avg., 30 V
A3T21H450W23SR6

Mfr.#: A3T21H450W23SR6

OMO.#: OMO-A3T21H450W23SR6-NXP-SEMICONDUCTORS

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A3T21H455W23SR6

Mfr.#: A3T21H455W23SR6

OMO.#: OMO-A3T21H455W23SR6-NXP-SEMICONDUCTORS

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