IRF200S234

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

D2PAK-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

200 V

Id - Corrente di scarico continua:

90 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

14 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

162 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

417 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

96 S

Tempo di caduta:

37 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

58 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

67 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

21 ns

Parte # Alias:

SP001593688

Tags

IRF200, IRF20, IRF2, IRF