RV2C002UNT2L

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN-1006-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

180 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

300 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

100 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Prodotto:

MOSFET

Serie:

RVxC

Tipo di transistor:

1 N-Channel MOSFET

Tipo:

MOSFET a piccolo segnale

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

25 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

8000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

12 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3 ns

Parte # Alias:

RV2C002UN

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RV2C002, RV2C00, RV2C0, RV2C, RV2