2N5886G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-204-2

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

80 V

Collettore-tensione di base VCBO:

80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1 V

Corrente massima del collettore CC:

25 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

4 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2N5886

Altezza:

8.51 mm

Lunghezza:

39.37 mm

Confezione:

Vassoio

Larghezza:

26.67 mm

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

25 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

20

Pd - Dissipazione di potenza:

200 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

100

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.424028 oz

Tags

2N5886, 2N588, 2N58, 2N5