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SI7214DN-T1-GE3

SI7214DN-T1-GE3
Mfr. #:
SI7214DN-T1-GE3
Produttore:
Vishay
Descrizione:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 6.4A 2.6W 40mohm @ 10V
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
SI7214DN-T1-GE3 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
Vishay Siliconix
categoria di prodotto
FET - Array
Serie
TrinceaFETR
Confezione
Nastro e bobina (TR)
Alias ​​parziali
SI7214DN-GE3
Stile di montaggio
SMD/SMT
Pacchetto-Custodia
PowerPAKR 1212-8 Dual
Tecnologia
si
Temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale
Numero di canali
2 Channel
Pacchetto-dispositivo-fornitore
PowerPAKR 1212-8 Dual
Configurazione
Dual
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Potenza-Max
1.3W
Tipo a transistor
2 N-Channel
Drain-to-Source-Voltage-Vdss
30V
Ingresso-Capacità-Ciss-Vds
-
Funzione FET
Porta livello logico
Corrente-Continuo-Scarico-Id-25°C
4.6A
Rds-On-Max-Id-Vgs
40 mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs-th-Max-Id
3V @ 250μA
Gate-Carica-Qg-Vgs
6.5nC @ 4.5V
Pd-Power-Dissipazione
1.3 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
6 ns
Ora di alzarsi
10 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
4.6 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
40 mOhms
Polarità del transistor
Canale N
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
19 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
7 ns
Modalità canale
Aumento
Tags
SI7214DN-T1, SI7214DN-T, SI7214D, SI7214, SI721, Si72, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 4.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
***nell
DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 5.9A
***ment14 APAC
DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 5.9A; Transi; DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 5.9A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id, N Channel:4.6A; Drain Source Voltage Vds, N Channel:30V; On Resistance Rds(on), N Channel:0.0333ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
SI7214DN-T1-GE3
DISTI # SI7214DN-T1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
  • 3000:$0.7392
SI7214DN-T1-GE3
DISTI # SI7214DN-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 4.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R (Alt: SI7214DN-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape and Reel		Asia - 0
    SI7214DN-T1-GE3
    DISTI # 781-SI7214DN-GE3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 6.4A 2.6W 40mohm @ 10V
    RoHS: Compliant    		0
      SI7214DN-T1-GE3
      DISTI # 1871372      		Vishay IntertechnologiesDUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 5.9A
      RoHS: Compliant      		0
      • 3000:£0.8260
      Immagine Parte # Descrizione
      SI7214DN-T1-E3

      Mfr.#: SI7214DN-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI7214DN-T1-E3

      		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI7228DN-GE3
      SI7214DN-T1-GE3

      Mfr.#: SI7214DN-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI7214DN-T1-GE3-VISHAY

      		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 6.4A 2.6W 40mohm @ 10V
      SI7214DN

      Mfr.#: SI7214DN

      OMO.#: OMO-SI7214DN-1190

      		 Nuovo e originale
      SI7214DN-T1-E3

      Mfr.#: SI7214DN-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI7214DN-T1-E3-VISHAY

      		 MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
      SI7214DN-T1-E3 GE3

      Mfr.#: SI7214DN-T1-E3 GE3

      OMO.#: OMO-SI7214DN-T1-E3-GE3-1190

      		 Nuovo e originale
      SI7214DN-T1-E3CT-ND

      Mfr.#: SI7214DN-T1-E3CT-ND

      OMO.#: OMO-SI7214DN-T1-E3CT-ND-1190

      		 Nuovo e originale
      SI7214DN-TI-E3

      Mfr.#: SI7214DN-TI-E3

      OMO.#: OMO-SI7214DN-TI-E3-1190

      		 Nuovo e originale
      Disponibilità
      Azione:
      Available
      Su ordine:
      4500
      Inserisci la quantità:
      Il prezzo attuale di SI7214DN-T1-GE3 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
      Prezzo di riferimento (USD)
      Quantità
      Prezzo unitario
      est. Prezzo
      1
      0,92 USD
      0,92 USD
      10
      0,88 USD
      8,76 USD
      100
      0,83 USD
      83,01 USD
      500
      0,78 USD
      392,00 USD
      1000
      0,74 USD
      737,90 USD
      A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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