STS9P2UH7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOIC-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

9 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

22.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

400 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

22 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.7 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

STS9P2UH7

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

84.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

30.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

128 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12.5 ns

Unità di peso:

0.017870 oz

Tags

STS9, STS