TSM9926DCS RLG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Taiwan Semiconduttore

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOP-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

21 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

600 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

4.86 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.6 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Prodotto:

Raddrizzatori

Tipo di transistor:

Doppio canale N

Marca:

Taiwan Semiconduttore

Transconduttanza diretta - Min:

30 S

Tempo di caduta:

5.35 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9.95 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

21.85 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8.1 ns

Tags

TSM9926DCSR, TSM9926DC, TSM9926D, TSM992, TSM99, TSM9, TSM