TSM301K12CQ RF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Taiwan Semiconduttore

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TDFN-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

94 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

500 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

6.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Taiwan Semiconduttore

Tempo di caduta:

65 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

295 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

170 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

29 ns

Unità di peso:

0.001764 oz

Tags

TSM301, TSM30, TSM3, TSM