IXFK98N50P3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-264-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Id - Corrente di scarico continua:

98 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

50 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

197 nC

Pd - Dissipazione di potenza:

1.3 kW

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Serie:

IXFK98N50

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

96 S, 58 S

Tempo di caduta:

6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

25

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.264555 oz

Tags

IXFK9, IXFK, IXF