DMG302PU-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

25 V

Id - Corrente di scarico continua:

170 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

10 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

650 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

0.35 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

450 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMG302

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

11 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

2.3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

24.1 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.5 ns

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

DMG30, DMG3, DMG