BUK7M9R5-40HX

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

LFPAK33-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

40 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

9.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

18 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

55 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Nexperia

Tempo di caduta:

3.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3.1 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

8.7 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.7 ns

Tags

BUK7M, BUK7, BUK