SIZ920DT-T1-GE3

SIZ920DT-T1-GE3
Mfr. #:
SIZ920DT-T1-GE3
Produttore:
Vishay
Descrizione:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 40A 100W 7.1mohm @ 10V
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
SIZ920DT-T1-GE3 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
Vishay Siliconix
categoria di prodotto
FET - Array
Serie
TrinceaFETR
Confezione
Imballaggio alternativo Digi-ReelR
Alias ​​parziali
SIZ920DT-GE3
Stile di montaggio
SMD/SMT
Pacchetto-Custodia
6-PowerPair
Tecnologia
si
Temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale
Numero di canali
2 Channel
Pacchetto-dispositivo-fornitore
6-PowerPair
Configurazione
Dual
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Potenza-Max
39W, 100W
Tipo a transistor
2 N-Channel
Drain-to-Source-Voltage-Vdss
30V
Ingresso-Capacità-Ciss-Vds
1260pF @ 15V
Funzione FET
Standard
Corrente-Continuo-Scarico-Id-25°C
40A
Rds-On-Max-Id-Vgs
7.1 mOhm @ 18.9A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.5V @ 250μA
Gate-Carica-Qg-Vgs
35nC @ 10V
Pd-Power-Dissipazione
100 W
Id-Continuo-Scarico-Corrente
40 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
7.1 mOhms
Polarità del transistor
Canale N
Modalità canale
Aumento
Tags
SIZ920D, SIZ920, SIZ92, SIZ9, SiZ
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH 30V 22A/32A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
***ark
MOSFET, N-CH, DUAL, 30V, PP 5X6
***nell
MOSFET, N-CH, DUAL, 30V, PP 5X6; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0059ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:100W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAIR; MSL:MSL 1 - Unlimited; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
SIZ920DT-T1-GE3
DISTI # SIZ920DT-T1-GE3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SIZ920DT-T1-GE3
    DISTI # SIZ920DT-T1-GE3CT-ND
    Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)
    Limited Supply - Call
      SIZ920DT-T1-GE3
      DISTI # SIZ920DT-T1-GE3DKR-ND
      Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®
      Limited Supply - Call
        SIZ920DT-T1-GE3
        DISTI # SIZ920DT-T1-GE3
        Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 22A/32A 8-Pin PowerPAIR T/R - Tape and Reel (Alt: SIZ920DT-T1-GE3)
        RoHS: Compliant
        Min Qty: 3000
        Container: Reel
        Americas - 27000
          SIZ920DT-T1-GE3
          DISTI # 78-SIZ920DT-T1-GE3
          Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 40A 100W 7.1mohm @ 10V
          RoHS: Compliant
          0
            SIZ920DTT1GE3Vishay Intertechnologies 
            RoHS: Compliant
            Europe - 3000
              SIZ920DT-T1-GE3
              DISTI # 2283688
              Vishay IntertechnologiesMOSFET, N-CH, DUAL, 30V, PP 5X6
              RoHS: Compliant
              90
              • 5:£1.1200
              • 25:£1.0200
              • 100:£0.7850
              • 250:£0.7340
              • 500:£0.6840
              SIZ920DT-T1-GE3
              DISTI # 2283688
              Vishay IntertechnologiesMOSFET, N-CH, DUAL, 30V, PP 5X6
              RoHS: Compliant
              0
              • 1:$3.6500
              • 10:$3.0200
              • 100:$2.3700
              • 500:$1.9500
              Immagine Parte # Descrizione
              SIZ920DT-T1-GE3

              Mfr.#: SIZ920DT-T1-GE3

              OMO.#: OMO-SIZ920DT-T1-GE3

              MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIZ998DT-T1-GE3
              SIZ920DT-T1-GE3

              Mfr.#: SIZ920DT-T1-GE3

              OMO.#: OMO-SIZ920DT-T1-GE3-VISHAY

              RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 40A 100W 7.1mohm @ 10V
              SIZ920DT

              Mfr.#: SIZ920DT

              OMO.#: OMO-SIZ920DT-1190

              Nuovo e originale
              SIZ920DTT1GE3

              Mfr.#: SIZ920DTT1GE3

              OMO.#: OMO-SIZ920DTT1GE3-1190

              Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0071ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
              Disponibilità
              Azione:
              Available
              Su ordine:
              1500
              Inserisci la quantità:
              Il prezzo attuale di SIZ920DT-T1-GE3 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
              Prezzo di riferimento (USD)
              Quantità
              Prezzo unitario
              est. Prezzo
              1
              2,50 USD
              2,50 USD
              10
              2,38 USD
              23,80 USD
              100
              2,25 USD
              225,45 USD
              500
              2,13 USD
              1 064,65 USD
              1000
              2,00 USD
              2 004,00 USD
              A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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