FQD4P25TM-WS

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

250 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.1 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.1 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

45 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

QFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.39 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Serie:

FQD4P25TM_WS

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tempo di caduta:

27 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

60 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

14 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9.5 ns

Parte # Alias:

FQD4P25TM_WS

Unità di peso:

0.009184 oz

Tags

FQD4P25TM, FQD4P25T, FQD4P2, FQD4P, FQD4, FQD