DMNH4006SK3-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

90 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

6 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

51 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.2 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.29 mm

Lunghezza:

6.58 mm

Serie:

DMNH4006

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

6.1 mm

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

8.1 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9.3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

18 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.7 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

DMNH4006, DMNH400, DMNH40, DMNH4, DMNH, DMN