KSE45H11

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 1 V

Corrente massima del collettore CC:

10 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

40 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

KSE45H

Altezza:

9.4 mm

Lunghezza:

10.1 mm

Confezione:

Massa

Larghezza:

4.7 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

- 10 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

60

Pd - Dissipazione di potenza:

50 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1200

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.063493 oz

Tags

KSE45H1, KSE45, KSE4, KSE