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TH58BYG3S0HBAI4

TH58BYG3S0HBAI4
Mfr. #:
TH58BYG3S0HBAI4
Produttore:
Toshiba Memory
Descrizione:
NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
TH58BYG3S0HBAI4 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Toshiba
Categoria di prodotto:
NAND Flash
RoHS:
Y
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
TFBGA-63
Dimensione della memoria:
8 Gbit
Tipo di interfaccia:
Parallelo
Organizzazione:
1 G x 8
Tipo di temporizzazione:
Sincrono
Larghezza bus dati:
8 bit
Tensione di alimentazione - Min:
1.7 V
Tensione di alimentazione - Max:
1.95 V
Corrente di alimentazione - Max:
30 mA
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 85 C
Confezione:
Vassoio
Tipo di memoria:
NAND
Marca:
Memoria Toshiba
Sensibile all'umidità:
sì
Tipologia di prodotto:
NAND Flash
Quantità confezione di fabbrica:
210
sottocategoria:
Memoria e archiviazione dati
Tags
TH58BYG3, TH58BY, TH58B, TH58, TH5
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
TH58BYG3S0HBAI4
DISTI # TH58BYG3S0HBAI4-ND		Toshiba Semiconductor and Storage Products8GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 1.8
RoHS: Compliant
Container: Tray		Temporarily Out of Stock
    TH58BYG3S0HBAI4
    DISTI # TH58BYG3S0HBAI4    		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash Serial 8Gbit 1.7 to 1.95V 63-Ball TFBGA - Trays (Alt: TH58BYG3S0HBAI4)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 210
    Container: Tray    		Americas - 0
    • 2100:$5.1900
    • 1260:$5.2900
    • 840:$5.4900
    • 420:$5.5900
    • 210:$5.6900
    TH58BYG3S0HBAI4_TRAY
    DISTI # TH58BYG3S0HBAI4_TRAY    		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash Memory (Alt: TH58BYG3S0HBAI4_TRAY)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1    		Europe - 0
    • 1000:€4.9900
    • 500:€5.3900
    • 100:€5.5900
    • 50:€5.7900
    • 25:€6.0900
    • 10:€6.2900
    • 1:€6.8900
    TH58BYG3S0HBAI4
    DISTI # 757-TH58BYG3S0HBAI4    		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
    RoHS: Compliant    		0
    • 210:$6.9300
    • 420:$6.7200
    • 630:$6.3900
    • 1050:$6.1700
    Immagine Parte # Descrizione
    TH58BYG3S0HBAI6

    Mfr.#: TH58BYG3S0HBAI6

    OMO.#: OMO-TH58BYG3S0HBAI6

    		 NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
    TH58BYG3S0HBAI4

    Mfr.#: TH58BYG3S0HBAI4

    OMO.#: OMO-TH58BYG3S0HBAI4

    		 NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
    TH58BYG2S3HBAI6

    Mfr.#: TH58BYG2S3HBAI6

    OMO.#: OMO-TH58BYG2S3HBAI6

    		 NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
    TH58BYG2S3HBAI6

    Mfr.#: TH58BYG2S3HBAI6

    OMO.#: OMO-TH58BYG2S3HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

    		 IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA Benand
    TH58BYG3S0HBAI6

    Mfr.#: TH58BYG3S0HBAI6

    OMO.#: OMO-TH58BYG3S0HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

    		 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V Benand
    TH58BYG2S3HBAI4

    Mfr.#: TH58BYG2S3HBAI4

    OMO.#: OMO-TH58BYG2S3HBAI4-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

    		 4G SLC NAND BGA 24NM Benand
    TH58BYG3S0HBAI4

    Mfr.#: TH58BYG3S0HBAI4

    OMO.#: OMO-TH58BYG3S0HBAI4-1190

    		 8GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 1.8
    TH58BYG2S3HBAI4-ND

    Mfr.#: TH58BYG2S3HBAI4-ND

    OMO.#: OMO-TH58BYG2S3HBAI4-ND-1190

    		 Nuovo e originale
    TH58BYG2S3HBAI6-ND

    Mfr.#: TH58BYG2S3HBAI6-ND

    OMO.#: OMO-TH58BYG2S3HBAI6-ND-1190

    		 Nuovo e originale
    TH58BYG3S0HBAI6-ND

    Mfr.#: TH58BYG3S0HBAI6-ND

    OMO.#: OMO-TH58BYG3S0HBAI6-ND-1190

    		 Nuovo e originale
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    Available
    Su ordine:
    3500
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    Quantità
    Prezzo unitario
    est. Prezzo
    1
    8,60 USD
    8,60 USD
    10
    7,92 USD
    79,20 USD
    25
    7,75 USD
    193,75 USD
    50
    7,72 USD
    386,00 USD
    100
    6,93 USD
    693,00 USD
    250
    6,72 USD
    1 680,00 USD
    500
    6,39 USD
    3 195,00 USD
    1000
    6,17 USD
    6 170,00 USD
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