TK31V60W,LVQ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN8x8-5

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

30.8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

78 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.7 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

86 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

240 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

DTMOSIV

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.85 mm

Lunghezza:

8 mm

Serie:

TK31V60W

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

8 mm

Marca:

Toshiba

Tempo di caduta:

8.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

32 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

165 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

70 ns

Tags

TK31V60W, TK31V, TK31, TK3