2SB815-7-TB-E

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

CP-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 15 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 20 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 15 mV, - 60 mV

Corrente massima del collettore CC:

- 1.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

250 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 125 C

Serie:

2SB815

Guadagno di corrente CC hFE Max:

600

Confezione:

Bobina

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

- 0.7 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

300

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000411 oz

Tags

2SB815, 2SB81, 2SB8, 2SB