KSD363O

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

120 V

Collettore-tensione di base VCBO:

300 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

8 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1 V

Corrente massima del collettore CC:

6 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

10 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

240

Altezza:

9.4 mm (Max)

Lunghezza:

10.1 mm (Max)

Confezione:

Massa

Larghezza:

4.7 mm (Max)

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

6 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

40

Pd - Dissipazione di potenza:

40 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

200

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.080072 oz

Tags

KSD363, KSD36, KSD3, KSD