BUK7S0R7-40HJ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

LFPAK88-4

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

425 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

700 uOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

144 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

375 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Nexperia

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

MOSFET

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BUK7S, BUK7, BUK