DMG8880LSS-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

11.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

7 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

27.6 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.43 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

DMG8880L

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

19.67 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

17.52 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

36.13 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.04 ns

Unità di peso:

0.002610 oz

Tags

DMG8880LS, DMG888, DMG88, DMG8, DMG