FDMS86300

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

Power-56-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

80 V

Id - Corrente di scarico continua:

42 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

5.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

59 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

104 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

PowerTrench

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

6 mm

Serie:

FDMS86300

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

60 S

Tempo di caduta:

9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

26 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

36 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

31 ns

Unità di peso:

0.002402 oz

Tags

FDMS8630, FDMS863, FDMS86, FDMS8, FDMS, FDM