RQ5E025TNTL

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-346T-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

92 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

500 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

3.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

15 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

25 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9 ns

Parte # Alias:

RQ5E025TN

Tags

RQ5E025, RQ5E02, RQ5E0, RQ5E, RQ5