A2T21S260W12NR3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

3.2 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

- 500 mV, 65 V

Guadagno:

17.9 dB

Potenza di uscita:

56 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 125 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

OM-880X-2L2L

Confezione:

Bobina

Frequenza operativa:

2110 MHz to 2200 MHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

NXP / Freescale

Numero di canali:

1 Channel

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

250

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 6 V, 10 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Parte # Alias:

935339757528

Unità di peso:

0.134366 oz

Tags

A2T21S2, A2T21S, A2T21, A2T2, A2T