FDMA037N08LC

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

WDFN-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

80 V

Id - Corrente di scarico continua:

6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

36.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

9 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.4 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

15 S

Tempo di caduta:

1.7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

1.3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

14 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.9 ns

Tags

FDMA0, FDMA, FDM