SI2335DS-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore

VISHAY

categoria di prodotto

FET - Single

Serie

TrenchFET

Confezione

Nastro e bobina (TR)

Stato della parte

Obsoleto

Tipo FET

Canale P

Tecnologia

MOSFET (ossido di metallo)

Drain alla tensione di origine (Vdss)

12V

Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C

3.2A (Ta)

Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

450mV @ 250A (Min)

Carica cancello (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Vg (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1225pF @ 6V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (massima)

750mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51 mOhm @ 4A, 4.5V

temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

Pacchetto/custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Tags

SI2335, SI233, SI23, SI2