SZNUD3112LT1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

16 V

Id - Corrente di scarico continua:

500 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

900 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

800 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

6 V

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 85 C

Pd - Dissipazione di potenza:

225 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Serie:

NUD3112

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Tempo di caduta:

36 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

61 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

SZNUD, SZNU, SZN