JAN2N3637UB/TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

LCC-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

175 V

Collettore-tensione di base VCBO:

175 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.3 V

Corrente massima del collettore CC:

1 A

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

300 at - 50 mA, - 10 V

Marca:

Microchip / Microsemi

Guadagno base/collettore DC hfe min:

55 at 100 uA, 10 V

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

transistor

Tags

Jan2N3637, JAN2N36, Jan2N3, Jan2N, Jan2, JAN