SSM3K318R,LF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23F-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

107 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.8 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

7 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Serie:

SSM3K318

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

Toshiba

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

9.5 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

14 ns

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

SSM3K318, SSM3K31, SSM3K3, SSM3K, SSM3, SSM