IRFS7730-7PPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-7

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

75 V

Id - Corrente di scarico continua:

240 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.7 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

285 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

375 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

StrongIRFET

Confezione:

Tubo

Altezza:

4.4 mm

Lunghezza:

10 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

9.25 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

223 S

Tempo di caduta:

91 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

90 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

182 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

20 ns

Parte # Alias:

SP001552354

Unità di peso:

0.056438 oz

Tags

IRFS7730, IRFS773, IRFS77, IRFS7, IRFS, IRF