PSMN0R9-30ULDX

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

LFPAK56E-4

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

300 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.09 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

109 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

227 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Nexperia

Tempo di caduta:

42.6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

49.8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

63 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

38.1 ns

Tags

PSMN0R9, PSMN0R, PSMN0, PSMN, PSM