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S25FL512SAGBHVB10

S25FL512SAGBHVB10
Mfr. #:
S25FL512SAGBHVB10
Produttore:
Cypress Semiconductor
Descrizione:
NOR Flash Nor
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
S25FL512SAGBHVB10 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
S25FL512SAGBHVB10 maggiori informazioni S25FL512SAGBHVB10 Product Details
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Semiconduttore di cipresso
Categoria di prodotto:
NOR Flash
RoHS:
Y
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
BGA-24
Serie:
S25FL512S
Dimensione della memoria:
512 Mbit
Frequenza massima di clock:
133 MHz
Tipo di interfaccia:
SPI
Organizzazione:
64 M x 8
Tipo di temporizzazione:
asincrono
Larghezza bus dati:
8 bit
Tensione di alimentazione - Min:
2.7 V
Tensione di alimentazione - Max:
3.6 V
Corrente di alimentazione - Max:
100 mA
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 105 C
Confezione:
Vassoio
Tipo di memoria:
NÉ
Velocità:
133 MHz
Architettura:
MirrorBit Eclipse
Marca:
Semiconduttore di cipresso
Sensibile all'umidità:
sì
Tipologia di prodotto:
NOR Flash
Standard:
Interfaccia flash comune (CFI)
Quantità confezione di fabbrica:
338
sottocategoria:
Memoria e archiviazione dati
Nome depositato:
Specchio Bit
Tags
S25FL512SAGBHV, S25FL512SAGBH, S25FL512SAGB, S25FL512SAG, S25FL512SA, S25FL512S, S25FL5, S25FL, S25F, S25
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
NOR Flash Serial-SPI 3V 512Mbit 512M x 1bit 8ns 24-Pin BGA Tray
***et
512-MBIT CMOS 3.0 VOLT 65NM FLASH MEMORY WITH 133-MHZ SPI (S
***i-Key
IC FLASH 512M SPI 133MHZ 24BGA
***ark
TRAY PKGED / 512-MBIT CMOS 3.0 VOLT 65NM FLASH MEMORY WITH 133-MHZ SPI (SERIAL PERIPHERAL INTERFACE) AND MULTI I/O BUS - 256KB, BGA-FAC024 IN TRAY PACKING, RESET# + VIO
S25FL512S FL-S NOR Flash Memory Devices
Cypress S25FL512S FL-S NOR Flash Memory Devices are VIO VCC 2.7V to 3.6V flash non-volatile memory devices. These devices use 65nm MirrorBit technology. Designed using Eclipse™ architecture with a 512-byte page programming buffer. The 512-Mb S25FL512S FL-S NOR allows users to program up to 256 words (512 bytes) in one operation. This results in faster effective programming and erase than prior generation SPI program or erase algorithms. The device connects to a host system via an SPI and supports traditional SPI single bit serial input and output. Optional two bit (Dual I/O or DIO), and four bit (Quad I/O or QIO) serial commands. The S25FL512S FL-S NOR provides support for Double Data Rate read commands for SIO, DIO, and QIO that transfer address. The S25FL512S FL-S transfer address and read data on both edges of the clock. By using FL-S devices at the supported higher clock rates with QIO or DDR-QIO commands, the read transfer rate instruction can match traditional parallel interface, asynchronous, NOR flash memories while reducing signal count dramatically. S25FL512S FL-S NOR offers high-density performance capabilities coupled with the flexibility and speed required by a variety of embedded applications. The S25FL512S FL-S NOR is ideal for code shadowing, XIP, and data storage.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
S25FL512SAGBHVB10
DISTI # S25FL512SAGBHVB10-ND		Cypress SemiconductorIC FLASH 512M SPI 133MHZ 24BGA
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tray		318In Stock
  • 1014:$6.3220
  • 676:$6.5515
  • 338:$6.8887
  • 100:$7.1041
  • 50:$7.9190
  • 25:$7.9472
  • 10:$8.1160
  • 1:$8.8200
S25FL512SAGBHVB10
DISTI # 727-S25FL512SAGBHVB1		Cypress SemiconductorNOR Flash Nor
RoHS: Compliant		0
  • 1:$10.7100
  • 10:$9.8100
  • 25:$8.9200
  • 50:$8.5000
  • 100:$8.0300
  • 250:$7.4200
Immagine Parte # Descrizione
88E1510-A0-NNB2I000

Mfr.#: 88E1510-A0-NNB2I000

OMO.#: OMO-88E1510-A0-NNB2I000

 Ethernet ICs Single-port Gigabit Ethernet PHY w/EEE; RGMII; 2.5/3.3V IO in 48-pin QFN package Industrial Temp
AS4C256M16D3LB-12BIN

Mfr.#: AS4C256M16D3LB-12BIN

OMO.#: OMO-AS4C256M16D3LB-12BIN

 DRAM 4G, 1.35V, 800Mhz 256M x 16 30nm DDR3
ADUM5020-5BRWZ

Mfr.#: ADUM5020-5BRWZ

OMO.#: OMO-ADUM5020-5BRWZ

 Switching Voltage Regulators isoPower 3kV,
150040VS73240

Mfr.#: 150040VS73240

OMO.#: OMO-150040VS73240

 Standard LEDs - SMD WL-SMCC SMD MonoChip LED 0402 BrtGrn572nm
C3216X5R1E226M160AB

Mfr.#: C3216X5R1E226M160AB

OMO.#: OMO-C3216X5R1E226M160AB

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1206 25V 22uF X5R 20% T: 1.6mm
AS4C256M16D3LB-12BIN

Mfr.#: AS4C256M16D3LB-12BIN

OMO.#: OMO-AS4C256M16D3LB-12BIN-ALLIANCE-MEMORY

 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
XFL4020-222MEC

Mfr.#: XFL4020-222MEC

OMO.#: OMO-XFL4020-222MEC-1190

 Fixed Inductors 2.2uH 20% 8A 23.5mOhms AEC-Q200
CGA2B3X7R1E104K050BB

Mfr.#: CGA2B3X7R1E104K050BB

OMO.#: OMO-CGA2B3X7R1E104K050BB-TDK

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 0.1uF 25volts X7R +/-10%
C3216X5R1E226M160AB

Mfr.#: C3216X5R1E226M160AB

OMO.#: OMO-C3216X5R1E226M160AB-TDK

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1206 22uF 25volts X5R 20%
88E1510-A0-NNB2I000

Mfr.#: 88E1510-A0-NNB2I000

OMO.#: OMO-88E1510-A0-NNB2I000-1190

 IC PHY SINGLE PORT 10/100/1000BASE-T RGMII QFN-48, INDUSTRIAL TEMP (Alt: 88E1510-A0-NNB2I000)
Disponibilità
Azione:
502
Su ordine:
2485
Inserisci la quantità:
Il prezzo attuale di S25FL512SAGBHVB10 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
10,71 USD
10,71 USD
10
9,81 USD
98,10 USD
25
8,92 USD
223,00 USD
50
8,50 USD
425,00 USD
100
8,03 USD
803,00 USD
250
7,42 USD
1 855,00 USD
500
6,47 USD
3 235,00 USD
1000
6,02 USD
6 020,00 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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