BSM35GB120DN2

BSM35GB120DN2
Mfr. #:
BSM35GB120DN2
Produttore:
Infineon Technologies
Descrizione:
IGBT Modules 1200V 35A DUAL
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
BSM35GB120DN2 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Infineon
Categoria di prodotto:
Moduli IGBT
RoHS:
N
Prodotto:
Moduli di silicio IGBT
Configurazione:
mezzo ponte
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:
1200 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:
3.2 V
Corrente continua del collettore a 25 C:
50 A
Corrente di dispersione gate-emettitore:
150 nA
Pd - Dissipazione di potenza:
280 W
Pacchetto/custodia:
Half Bridge1
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Confezione:
Vassoio
Altezza:
30.5 mm
Lunghezza:
94 mm
Larghezza:
34 mm
Marca:
Tecnologie Infineon
Stile di montaggio:
Montaggio su telaio
Tensione massima dell'emettitore di gate:
20 V
Tipologia di prodotto:
Moduli IGBT
Quantità confezione di fabbrica:
10
sottocategoria:
IGBT
Parte # Alias:
BSM35GB120DN2HOSA1 SP000100461
Tags
BSM35GB120DN, BSM35GB, BSM35, BSM3, BSM
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***omponent
IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Doubled diode area
***ser
IGBT - Standard Modules 1200V 35A DUAL
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
BSM35GB120DN2HOSA1
DISTI # BSM35GB120DN2HOSA1-ND
Infineon Technologies AGIGBT 2 MED POWER 34MM-1
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tray
Limited Supply - Call
  • 10:$63.2560
BSM 35 GB 120 DN2
DISTI # SP000100461
Infineon Technologies AGTrans IGBT Module N-CH 1.2kV 50A 7-Pin 34mm (Alt: SP000100461)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Europe - 0
  • 1:€75.2900
  • 10:€60.8900
  • 25:€55.2900
  • 50:€53.4900
  • 100:€51.6900
  • 500:€50.1900
  • 1000:€49.0900
BSM35GB120DN2HOSA1
DISTI # BSM35GB120DN2HOSA1
Infineon Technologies AGTrans IGBT Module N-CH 1.2kV 35A nom - Trays (Alt: BSM35GB120DN2HOSA1)
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tray
Americas - 0
  • 10:$54.6900
  • 20:$53.9900
  • 40:$52.5900
  • 60:$51.2900
  • 100:$50.0900
BSM35GB120DN2HOSA1
DISTI # BSM35GB120DN2HOSA1
Infineon Technologies AGTrans IGBT Module N-CH 1.2kV 35A nom - Bulk (Alt: BSM35GB120DN2HOSA1)
Min Qty: 7
Container: Bulk
Americas - 0
  • 8:$55.8900
  • 10:$53.8900
  • 18:$51.8900
  • 40:$50.1900
  • 80:$49.2900
BSM35GB120DN2
DISTI # 641-BSM35GB120DN2
Infineon Technologies AGIGBT Modules 1200V 35A DUAL
RoHS: Not compliant
0
    BSM35GB120DN2HOSA1Infineon Technologies AGInsulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
    RoHS: Compliant
    1
    • 1000:$51.1100
    • 500:$53.8000
    • 100:$56.0100
    • 25:$58.4100
    • 1:$62.9000
    Immagine Parte # Descrizione
    BSM35GD120DLCE3224

    Mfr.#: BSM35GD120DLCE3224

    OMO.#: OMO-BSM35GD120DLCE3224

    IGBT Modules N-CH 1.2KV 70A
    BSM35GP120G

    Mfr.#: BSM35GP120G

    OMO.#: OMO-BSM35GP120G

    IGBT Modules 1200V 35A PIM
    BSM35GB120DN2

    Mfr.#: BSM35GB120DN2

    OMO.#: OMO-BSM35GB120DN2

    IGBT Modules 1200V 35A DUAL
    BSM35GD120DN2BOSA1

    Mfr.#: BSM35GD120DN2BOSA1

    OMO.#: OMO-BSM35GD120DN2BOSA1-1190

    Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
    BSM35GD120D2

    Mfr.#: BSM35GD120D2

    OMO.#: OMO-BSM35GD120D2-1190

    Nuovo e originale
    BSM35GD120DN2 E3224

    Mfr.#: BSM35GD120DN2 E3224

    OMO.#: OMO-BSM35GD120DN2-E3224-1190

    Nuovo e originale
    BSM35GD120DN2(DLC)

    Mfr.#: BSM35GD120DN2(DLC)

    OMO.#: OMO-BSM35GD120DN2-DLC--1190

    Nuovo e originale
    BSM35GD120DN2E3224(6)

    Mfr.#: BSM35GD120DN2E3224(6)

    OMO.#: OMO-BSM35GD120DN2E3224-6--1190

    Nuovo e originale
    BSM35GD120ND2

    Mfr.#: BSM35GD120ND2

    OMO.#: OMO-BSM35GD120ND2-1190

    Nuovo e originale
    BSM35GD120DLCE3224BOSA1

    Mfr.#: BSM35GD120DLCE3224BOSA1

    OMO.#: OMO-BSM35GD120DLCE3224BOSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

    70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
    Disponibilità
    Azione:
    Available
    Su ordine:
    4000
    Inserisci la quantità:
    Il prezzo attuale di BSM35GB120DN2 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
    Prezzo di riferimento (USD)
    Quantità
    Prezzo unitario
    est. Prezzo
    10
    63,68 USD
    636,80 USD
    30
    62,43 USD
    1 872,90 USD
    100
    57,85 USD
    5 785,00 USD
    A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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