D1213UK

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Elettronica TT

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

20 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Guadagno:

10 dB

Potenza di uscita:

6 W

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DBC1-8

Configurazione:

Separare

Altezza:

3.25 mm

Lunghezza:

6.47 mm

Frequenza operativa:

500 MHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Larghezza:

8.43 mm

Marca:

Semelab / TT Electronics

Pd - Dissipazione di potenza:

58 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

0.5 V to 7 V

Tags

D1213, D121, D12